金屬氧化物半導體場效電晶體之特性與偏壓分析

📝 歷屆考古題

• 114年 moea_joint 第32題
  如右圖所示之 FET 電路，若汲極靜態電流為 0.3 mA，試求 $V_{GS}$ 值為何？
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• 114年 moea_joint 第34題
  某場效電晶體之導電參數 $K = 5$ mA/V$^2$，若直流工作點的汲極電流為 5 mA，試求互導 $g_m$ 值為何？
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• 114年 moea_joint 第36題
  如右圖所示之電路，$Q_1$ 與 $Q_2$ 具相同特性，若 $R_D = 4$ k$\Omega$，$V_{DD} = 10$ V，$I = 2$ mA，則電壓 $V_O$ 值為何？
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• 114年 moea_joint 第47題
  對 MOSFET 而言，當 $V_{GS} = 0$ 時，下列何者有通道存在？
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• 113年 moea_joint 第31題
  如右圖所示之N通道MOSFET電路圖，若 $V_{DD} = 15$ 伏特，洩極(Drain)電流 $I_D = 10$ 毫安培，試求閘極與源極間電壓 $V_{GS}$ 值為何？
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• 113年 moea_joint 第32題
  有一場效電晶體，導電參數 $K = 2\text{ mA/V}^2$，若其直流工作點汲極電流為12.5 mA，試求互導 $g_m$ 值為何？
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• 113年 moea_joint 第47題
  有一N通道JFET在歐姆區內正常工作，若閘極與源極間電壓 $V_{GS}$ 負值越大時，下列何者正確？
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• 112年 moea_joint 第34題
  有關如何有效降低增強型 NMOS 電晶體的 $V_T$ (Threshold Voltage)值，下列敘述何者正確？
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• 112年 moea_joint 第35題
  有關 MOSFET 之敘述，下述何者有誤？
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• 112年 moea_joint 第36題
  有關 JFET 自給偏壓(Self-Bias)電路，若希望工作點(Operating Point)設定在轉換特性曲線的中點，意即 $I_D = \frac{1}{2} I_{DSS}$，下列哪一種方式…
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• 112年 moea_joint 第37題
  有一空乏型 n 通道 MOSFET，$K_n' W/L = 2 \text{mA/V}^2$，$V_t = -3 \text{V}$，其源極與閘極均接地。下列敘述何者有誤？(忽略通道長度調變效應)
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• 111年 moea_joint 第38題
  如右圖所示之電路，已知$Q_1$ FET的 $V_{T1}= 3$ V，且 $K_1= 0.1 \text{ mA/V}^2$，$Q_2$ FET的$V_{T2} = 2$ V，且 $K_2 = 0.9 \text{ mA/V}^2$…
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• 111年 moea_joint 第39題
  已知某N通道空乏型 MOSFET 之夾止電壓 $V_{GS(off)} = -7$ V，若此 MOSFET 工作於飽和區，且閘極對源極電壓 $V_{GS}$ 為0 V時，汲極電流為 18 mA，試問當…
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• 111年 moea_joint 第46題
  如右圖所示之電路，已知 $K= 0.75 \text{ mA/V}^2$，臨界電壓 $V_T = 2 \text{ V}$，試求此電路互導 $g_m$ 為何？
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• 110年 moea_joint 第32題
  對一 MOSFET 以一固定的 $V_{GS}$ 電壓操作於飽和區，在 $V_{DS} = 4\text{ V}$ 時，$i_D = 2\text{ mA}$ ，且 $V_{DS} = 6\text{ V}$…
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• 110年 moea_joint 第34題
  在積體電路中，NMOS 的基體 (B) 端應與下列何者相接?
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• 110年 moea_joint 第41題
  如右圖電路，已知 CMOS 反向電路的 $V_{TN} = 0.8\text{ V}$，$V_{TP} = -0.8\text{ V}$ 且 $K_n = K_p$，假設 $v_{O1} = 4\text{ V}$…
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• 109年 moea_joint 第31題
  如右圖所示之電路，二電晶體參數均為 V$_{TH}$ = 0.4 V 及 $k'_n = 120 \mu\text{A/V}^2$，若 M$_1$ 和 M$_2$ 長寬比為 (W/L)$_1$ = 3…
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• 109年 moea_joint 第50題
  有一 N 通道增強型 MOSFET 的臨界電壓 V$_T$ = 2 V，當 V$_{GS}$ = 5 V 時，MOSFET 工作於飽和區 (夾止區)，I$_D$ = 3 mA。若 V$_{GS}$ =…
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• 108年 moea_joint 第35題
  假設一JFET之 $I_{DSS}=6\text{ mA}$、$V_P=-4\text{ V}$，若工作於 $V_{GS}=-2\text{ V}$，試求互導 $g_m$ 為何？
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• 108年 moea_joint 第41題
  如右圖所示FET電路，若汲極靜態電流為0.3 mA，試求 $V_{GS}$ 為何？
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• 108年 moea_joint 第48題
  如右圖所示電路，若JFET之 $I_{DSS}=5\text{ mA}$、$V_P=-4\text{ V}$，試求 $I_D$ 為何？
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• 107年 moea_joint 第39題
  有一接合面場效應電晶體 JFET 的汲極飽和電流 $I_{DSS} = 16\text{ mA}$，夾止電壓 $V_{GS(\text{off})} = -4\text{ V}$，請問此 JFET 為…
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• 107年 moea_joint 第45題
  右圖的電路包含 5 個完全相同的電晶體，各電晶體的臨限電壓 $V_t = 1\text{ V}$，假設可忽略基體效應與通道長度調變效應，試求輸出電壓 $V_o$ 為何？
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• 106年 moea_joint 第29題
  對JFET自給偏壓(Self-Bias)電路，若希望工作點設定在轉換特性曲線的中點，意即 $I_D = \frac{1}{2}I_{DSS}$，下列哪一種方式可達成？
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• 106年 moea_joint 第30題
  有一增強型MOSFET，其臨界電壓 $V_{GS(th)}=2\text{ V}$，當 $V_{GS}=8\text{ V}$ 時、對應之 $I_{D(on)}=200\text{ mA}$，求 $V_{GS}=5\text{ V}$…
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• 106年 moea_joint 第49題
  有一MOSFET，若 $I_{DSS}=10\text{ mA}$、$V_{GS(off)}= -4\text{ V}$，當 $V_{GS}= -2\text{ V}$ 時，試求其轉換電導 $g_m$…
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• 105年 moea_joint 第34題
  對一 MOSFET 以一固定的 $v_{GS}$ 電壓操作在飽和區，在 $v_{DS} = 4 \text{ V}$ 時，$i_D = 2 \text{ mA}$，且 $v_{DS} = 8 \text{ V}$…
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• 105年 moea_joint 第35題
  對一增強型的 PMOS 電晶體，其 $k_p'(W/L) = 90 \mu\text{A/V}^2$，$V_t = -1.5 \text{ V}$，爾利電壓 (Early Voltage) $|V_A| = 50 \text{ V}$…
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• 105年 moea_joint 第36題
  在積體電路中，NMOS 的基體 (B) 端應如何接？
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• 105年 moea_joint 第39題
  如右圖之電路，已知此 CMOS 反向器電路的 $V_{TN} = 0.8 \text{ V}$，$V_{TP} = -0.8 \text{ V}$ 且 $K_n = K_p$，假設 $v_{O1} = 0.5 \text{ V}$…
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• 105年 moea_joint 第42題
  如何有效降低增強型 NMOS 電晶體的 Threshold Voltage 電壓值 $V_T$，下列敘述何者正確？
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• 104年 moea_joint 第18題
  如右圖MOSFET電路，$|V_t| = 1 \text{V}$、$\mu_nC_{ox} = 20 \mu\text{A/V}^2$、$\mu_pC_{ox} = 10 \mu\text{A/V}^2$…
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• 104年 moea_joint 第22題
  一增強型NMOS電晶體，$V_{t0} = 2 \text{V}$、$2\phi_f = 0.6 \text{V}$、$\gamma = 0.4 \text{V}^{\frac{1}{2}}$，求$V_{SB} = 3.5 \text{V}$…
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• 103年 moea_joint 第19題
  設若右圖電流鏡 $V_{T1}= V_{T2}= V_{T3}=2\text{ V}$，$\beta_1=\beta_2=\beta_3=k'_n(\frac{W}{L})=2\text{ mA/V}^2$…
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• 103年 moea_joint 第33題
  如右圖FET偏壓電路，給定 $V_T=1\text{ V}$，$k'_n(\frac{W}{L})=1\text{ mA/V}^2$ 在忽略通道長度調變效應(Channel-length Modula…
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• 103年 moea_joint 第40題
  假設N通道JFET其 $I_{DSS}=10\text{ mA}$，$V_{GS(off)}= -5\text{ V}$，當JFET工作在定電流區時，求 $V_{GS}= -1\text{ V}$，其…
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• 101年 moea_joint 第33題
  如右下【圖 7】所示電路為恆流源電路，其中汲源飽和電流 $I_{DSS} = 4\text{ mA}$，$V_{DD} = 12\text{ V}$，$R_D = 1\text{ K}\Omega$，…
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• 101年 moea_joint 第34題
  如右下【圖 8】所示為何種電晶體？
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• 101年 moea_joint 第55題
  場效電晶體小訊號模型中，$g_m = g_{mo}\left[1 - \frac{V_{GS}}{V_{GS(OFF)}}\right]$，對 $g_{mo}$ 之敘述下列何者正確？
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• 100年 moea_joint 第30題
  如右【圖 16】中所示電路，$V_D$ 約為 $7\text{ V}$，試求其 $I_D$、$V_{GS}$ 其值各為多少？
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• 100年 moea_joint 第40題
  N 通道增強型(Enhancement type) MOSFET 通道導通的條件是？($V_{\text{TH}}$ 臨限電壓)
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